1. 激光轉印技術(shù)作用

  通過(guò)非接觸激光印刷技術(shù)（PTP）改善高效太陽(yáng)能電池細柵印刷工藝，能夠突破傳統絲網(wǎng)印刷的線(xiàn)寬極限，輕松實(shí)現 25um 以下的線(xiàn)寬，在電池片硅片上印刷更大高寬比的超細柵線(xiàn)，幫助電池實(shí)現超細密柵電池，匹配選擇性發(fā)射極技術(shù)，提升太陽(yáng)能電池效率的同時(shí)，大幅度節省漿料耗量20%以上，最終降低電池生產(chǎn)、發(fā)電成本。

  2. 激光轉印技術(shù)優(yōu)勢

  ① 激光轉印的柵線(xiàn)更細，現在可以做到18um以下漿料節省30%，在PERC上已經(jīng)得到論證，HJT電池使用的是低溫銀漿，顆粒度小，轉印可以達到更新的線(xiàn)寬，從而降低銀漿耗量，提升電池效率，TOPCON工藝是N型雙面銀漿，對銀漿耗量更為敏感，在TOPCon、HJT等路線(xiàn)上的節省量會(huì )更高；

  ② 印刷高度一致性、均勻性?xún)?yōu)良，誤差在2um，低溫銀漿也同樣適用；

  ③ 可以改變柔性膜的槽型，根據不同的電池結構，來(lái)實(shí)現即定的柵線(xiàn)形狀，改善電性能;

  ④ 激光轉印為非接觸式印刷，可以避免擠壓式印刷存在的隱裂、破片、污染、劃傷等問(wèn)題。同時(shí)，未來(lái)硅片薄片化趨勢，薄片化會(huì )帶來(lái)更多隱裂問(wèn)題，激光轉印由于非接觸式印刷，可以有效解決這個(gè)問(wèn)題。

  ⑤ 作為絲網(wǎng)印刷的替代技術(shù)，圖案轉移印刷（PTP）技術(shù)已顯示出潛力，可以印刷高縱橫比的窄電極，PTP技術(shù)可以制造平均寬度為18um的電極，但是在手指寬度為22um的情況下，六個(gè)母線(xiàn)結構的電池效率最高，對于正面金屬化，需要在光損壞和電損耗之間進(jìn)行權衡。

  ⑥ 一方面，由于前側的陰影較少，具有較窄電極的太陽(yáng)能電池會(huì )產(chǎn)生較高的電流，另一方面，由于接觸電阻和橫向電阻對總串聯(lián)電阻的貢獻增加，薄電極導致填充系數（FF）減小。優(yōu)化電極的數量以及增加母線(xiàn)的數量是使FF損耗最小化，同時(shí)又使窄電極的全部電勢最大化的兩種可能方法。

  3. 激光轉印技術(shù)流程

  主要包含：填充過(guò)程和轉移過(guò)程